Основное применение: гравировка передних электродов тонкопленочных солнечных батарей из теллурида кадмия. Гравировка покрытия из теллурида кадмия или алюминия тонкопленочных солнечных батарей.

Тип лазера: инфракрасный полупроводниковый лазер с торцевой накачкой (длина волны 1064 нм) или полупроводниковый зеленый лазер с торцевой накачкой (длина волны 532 нм).

• Ширина линий гравировки: 0.04 – 0.06 мм.
• Глубина гравировки: 0.001-0.1 мм.