Описание

MT2010 – это полуавтоматическая (MT3000 – полностью автоматизированная) система контроля качества полупроводниковых пластин, с помощью которой можно осуществлять контроль и анализ дефектов, измерения критических размеров (CD), степени совмещения технологических слоев на пластине, а также толщин слоев/пленок. Система работает в прямом и отраженном свете видимого, УФ, дальнего УФ и ИК излучения. 

Система может быть использована для контроля качества пластин, масок, МЭМС и нестандартных подложек размером от 3” до 8”.

 

Контроль и анализ дефектов

 

• Гибкая настройка и конфигурация системы;
• Габариты пластин/МЭМС от 2” до 200 мм;
• Габариты подложек/масок от 4” до 22” (от 100 до 550 мм);
• Контроль в видимом, УФ и ИК диапазонах;
• Инспекция в произвольной последовательности;
• Самообучающаяся система;
• Лазерная автофокусировка в режиме реального времени;
• Масштабируемая производительность;
• Масштабируемая чувствительность к дефектам;
• Последовательная инспекция от кристалла к кристаллу;
• Последовательная инспекция от пластины к пластине;
• Онлайн и оффлайн анализ дефектов;
• Классификация дефектов на базе предустановленных фильтров;
• Программное и аппаратное обеспечение конфигурируется в соответствии с требованиями заказчика.

Типовые технические характеристики

Размер подложки	25х25 мм	150х150 мм	225х225 мм	350х350 мм
Размер дефекта	Минуты
1 мкм	1	30	70	160
2 мкм	0,25	8	18	40
5 мкм	0,07	2	5	10

 

Размер пластины	125 мм	150 мм	200 мм	300 мм
Размер дефекта	Минуты
1 мкм	16	24	40	100
2 мкм	4	6	10	24
5 мкм	1	15	2,5	6

 

Измерение критических размеров (CD-измерения)

 

• Лазерная автофокусировка
• Автофокусировка изображения
• Измерения размеров по оси Z
• Измерения реперных точек и отверстий
• Измерения в условиях размытия края изображения
• Измерение элементов топологии
• Выравнивание фона изображения
• Разные алгоритмы для работы с масками и пластинами
• Множественные одновременные измерения по осям XY
• Гибкое программное обеспечение для калибровки

Типовые технические характеристики
Травление пластин	≤ 4 нм 3 σ
Резист на металле	≤ 9 нм 3 σ
Маски, COG	≤ 1 нм 3 σ
Минимальный размер структуры	0,8 мкм (в видимом излучении), 0,5 (в УФ-излучении)
Производительность	≥ 70 пластин в час

 

Измерение степени совмещения технологических слоев на пластине (оверлей-измерения)

 

• Квадрат в квадрате
• Рамка в рамке
• L-решетка
• Круг в круге
• Измерения нестандартных структур
• Многоуровневая фокусировка
• Автоматизированный расчет и коррекция индуцированного инструментом смещения (TIS)

Типовые технические характеристики
Травление пластин	≤ 2 нм 3 σ
Резист на металле	≤ 4 нм 3 σ
TIS	≤ 3 нм 3 σ
Производительность	≥ 70 пластин в час

 

Измерение толщины пленки

 

• Прозрачные и полупрозрачные материалы
• От 1 до 3 слоев
• Диапазон измерения толщины от 10 нм до 40 мкм
• Алгоритм с использованием быстрого преобразования Фурье (FFT)
• Программируемый диаметр пучка лазера
• Измерение в активной области интегральной схемы

Типовые технические характеристики
Оксиды, нитриды	≤ 1 нм 3 σ
Резист	≤ 3 нм 3 σ
Производительность	≥ 70 пластин в час

 

Инфракрасная микроскопия и контроль дефектов

 

• Оптимизированная под ИК-излучение оптика
• InGaAs камера
• Измерения в отраженном и проходящем ИК / ближнем ИК свете
• Лазерная автофокусировка
• Контроль герметичности
• Контроль целостности изделия
• Контроль качества сращивания пластин
• Контроль склеенных пластин
• Контроль пластин «Кремний на изоляторе»
• Автоматическая классификация дефектов
• Онлайн и оффлайн анализ дефектов
• Оверлей-измерения слоев сверху-вниз
• Измерения критических размеров

Типовые технические характеристики
Диапазон излучения	1050-1550 нм
Степень увеличения	2,5х, 5х, 10х, 20х, 63х, 100х
Производительность	зависит от задачи